为进一步分析材料内部化学组分变化对材料输运性能的影响,本研究测试了不同区熔温度样品在不同区域的ne和μ。如图3所示,958和973 K样品不同区域的ne和μ在测量误差范围内基本一致,与前述低区熔温度下电输运性能较为均匀的结果一致。
而在988和1003 K样品中,如图3(c, d)所示,不论中心还是边缘位置,底部样品的ne均明显高于顶部区域,而顶部区域的μ又显著高于底部。例如,988 K样品的ne在2.65×1019~3.56×1019 cm–3范围内波动,μ在168.80~201.09 cm2·V–1·s–1内波动。这种现象主要是由于在高区熔温度下,材料化学组分的轴向成分差异较大,棒材底端主要以(Bi,Sb)2(Te,Se)3富集相的形式存在,而顶端主要以Bi2Te3富集相的形式存在。研究发现,与p型Bi2Te3-Sb2Te3相比,n型Bi2Se3和Bi2Te3形成合金时,电负性更强的Se原子优先占据Te(2)的位点,显著抑制了Bi置换Te位的反位缺陷。因此,棒材底端空穴浓度降低,电子浓度增大,从而提高了材料的σ,如图1所示,988 K-CB与988 K-EB样品的σ分别为1.11×105和9.98×104 S·m–1,显著高于988 K-CT与988 K-ET样品的8.54×104和9.05×104 S·m–1,不同区域的室温σ差异达到了30%。而σ的显著差异也使得988 K-CB和988 K-CT样品的室温PF差异达到了34%。最终,轴向上载流子浓度与迁移率的差异使得988和1003 K样品的室温下ZT在不同区域的最大差异分别达到了0.23和0.17,相差31.5%和28.6%,较958 K的低区熔温度样品热电性能均匀性劣化了近1倍以上。