武汉国产存储“巨无霸”,IPO也要来了

作者丨韩文静

国产存储赛道正迎来一波史无前例的资本化浪潮。

5月19日，证监会官网披露，长江存储控股股份有限公司（简称“长江存储”）已与中信证券、中信建投签署辅导协议，正式启动A股上市辅导。这意味着，这家承载着中国存储芯片希望的“国之重器”，距离敲响资本市场钟声仅一步之遥。

来源：公告截图

作为中国3D NAND闪存领域的领军者，长江存储用不到十年时间，走完了国际巨头几十年的路，在‌胡润研究院《2025全球独角兽榜》‌中，长江存储以1600亿元人民币的估值入围。但比数字更值得关注的，是AI算力爆发对存储芯片市场的价值重构，这才是这起IPO背后的核心逻辑。

半导体“老兵”掌舵，破解“卡脖子”难题

时间拉回2016年，彼时的中国半导体产业，正深陷“存储困局”的泥潭——DRAM和NAND芯片几乎完全依赖进口，存储芯片成为产业链中“卡脖子”的重灾区。

在这样的时代背景下，清华紫光联合国家集成电路产业投资基金、湖北省产业投资集团，共同在武汉成立长江存储。然而，要在存储芯片这一高技术壁垒领域实现突围，光有资金远远不够，更离不开一支经验丰富、甘于实干的核心技术管理团队。

长江存储从一开始就汇聚了一批行业“老兵”。现任董事长陈南翔是国内半导体领域公认的资深专家，他拥有电子科技大学半导体器件专业学士学位以及北京师范大学低能核物理研究所离子束物理及大规模集成电路应用专业博士学位，曾先后在紫光集团、华润微电子任职，完整见证了中国半导体产业的起伏与突围。

而与他并肩作战的，还有另一位行业大咖——杨士宁。作为长江存储的核心技术领导者，杨士宁拥有美国伦斯勒理工学院获得物理专业硕士与材料工程学专业博士，且他在英特尔公司有十多年的工作经验。自2016年7月起担任长江存储CEO，2022年升任常务副董事长。

正是在他的主导下，公司在3D NAND闪存领域实现了多项关键突破，并提出了独具特色的Xtacking（晶栈）技术。

这支由“老兵”掌舵、兼具技术与产业经验的核心团队，为长江存储的快速发展提供了坚实保障，让这家年轻的企业在短短几年内，实现了从技术跟随到部分引领的跨越，为国产存储突围奠定了坚实基础。

从股权结构来看，辅导协议显示，长江存储无控股股东，其第一大股东为湖北长晟发展有限责任公司，持股26.5442%，其他股东包括国家集成电路产业投资基金（大基金）、湖北及武汉地方国资机构、金融机构及市场投资机构等。

从零到一，打破垄断的“中国芯”

成立之初，长江存储便聚焦3D NAND闪存自主研发，希望以技术创新打破海外巨头的长期垄断，填补国内高端存储芯片的市场空白。

2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。

要理解3D NAND闪存的技术价值，就需要明确其与传统2D闪存的核心区别。相比于传统2D闪存像“平房”，只能在平面上扩建，3D NAND 像“高楼大厦”，通过向垂直方向堆叠层数，在相同面积下塞入更多存储单元。它解决了传统平面闪存无法继续缩小尺寸的限制，是目前固态硬盘和手机存储的主流核心材料。

在此基础上，长江存储开始向更深层次的架构创新发起挑战。2018年8月，长江存储在全球顶级闪存峰会“Flash Memory Summit”上发布了其革新技术晶栈Xtacking 架构。在晶栈Xtacking架构推出前，市场上的3D NAND主要分为传统并列式架构和CuA（CMOS under Array）架构。

长江存储通经过长达9年在3D IC领域的技术积累和4年的研发验证后，将晶圆键合这一关键技术在3D NAND闪存上得以实现。在指甲盖大小的面积上实现数十亿根金属通道的连接，合二为一成为一个整体，拥有与同一片晶圆上加工无异的优质可靠性表现。随着层数的不断增高，基于晶栈Xtacking 所研发制造的3D NAND闪存将更具成本和创新优势。

技术的突破很快转化为量产成果。2019年9月，搭载长江存储自主创新晶栈Xtacking架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。2020年4月，长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，拥有发布之时业界最高的存储密度和最高的单颗容量。

随着技术的不断成熟和产能的逐步释放，长江存储的产品品质和市场认可度持续提升，不仅在国内市场占据一席之地，更成功打入全球高端市场。截至目前，长江存储为全球合作伙伴提供3D NAND闪存晶圆及颗粒， 嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。

据产业链核心人士消息披露，长江存储2026年一季度营收已突破200 亿元，同比实现翻倍增长，其NAND闪存芯片全球市占率超10%。

产能方面，据韩国媒体Chosun Biz报道，目前长江存储一期产线月产量达10万片晶圆，二期产线月产约6万片，长江存储位于武汉的三期项目（第三座晶圆厂）预计将于今年下半年开始量产高堆叠层数的NAND Flash。预计长江存储今年的NAND Flash产量将超过SK海力士和美光，位居全球第三，仅次于三星和铠侠。

估值超千亿，AI算力引爆存储赛道

技术的突破与产能的扩张，共同推高了长江存储的资本估值。

在‌胡润研究院《2025全球独角兽榜》‌中，长江存储以1600亿元人民币的估值首次入围，位列‌中国十大独角兽第9位、全球第21位‌，并成为‌半导体行业估值最高的新晋独角兽。

长期以来，存储芯片属于强周期行业，景气度高度绑定手机、PC等终端消费市场销量。但近年来，AI产业爆发式崛起，大模型训练、云端数据存储、智能算力集群建设带来海量存储需求，数据中心对高端存储的需求呈指数级增长。

可以说，AI算力的爆发正在彻底改写存储行业的传统周期逻辑，头部企业的价值迎来系统性重估。

高盛更是直言，全球存储芯片市场正面临过去15年来最严重的供应短缺，并大幅上调2026年存储芯片价格预测，将DRAM存储芯片价格涨幅预测从约150%上调至250%—280%，NAND价格涨幅预测从约100%上调至200%—250%。

行业的高景气度也直接传导至人才市场。SK海力士宣布将年度营业利润的10%作为全员绩效奖金，预计2026年人均奖金约326万元，2027年或突破600万元。这种行业红利，既体现了存储产业的战略地位提升，也侧面反映出长江存储所处赛道的巨大发展潜力。

对于长江存储而言，登陆资本市场绝非终点，而是全新发展起点。未来，公司可借助上市募集的资金，进一步加速技术迭代、扩大产能规模、巩固全球市场份额，逐步缩小与国际顶尖巨头的差距。从打破技术垄断到引领产业发展，长江存储的IPO不仅是企业自身的里程碑事件，更是中国半导体产业向高端化、国际化迈进的重要标志。

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