

5月24日,奕斯伟武汉硅材料基地项目主体结构全面封顶,标志着该项目从蓝图规划全面迈入实景落地新阶段,为国产半导体硅材料产业发展筑牢根基。

奕斯伟武汉硅材料基地项目效果图
该项目位于未来科技城光谷科学岛,建筑面积约19万平方米,总投资超100亿元,该项目不仅是奕斯伟材料提升产能规模、实现战略目标的核心布局,更是湖北省半导体硅材料领域的重点标杆工程,将进一步助力区域构建“芯片设计、晶圆制造、配套材料”协同发展的完整半导体产业生态。

奕斯伟武汉硅材料基地项目现场封顶图
封顶仪式上,公司有关负责人透露,该项目将于2026年四季度实现首批设备搬入,2027年上半年实现首批产能投产,预计2030年达产。相关产品可广泛应用于高性能存储芯片、先进逻辑芯片、高端图像传感器等主流芯片领域,匹配快速发展的市场需求,将进一步提升我国高端半导体硅片的供应能力。

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