【事件梳理】武汉380亿美元（约合人民币2600亿元）存储扩产计划存疑。
首先，我对这条信息进行了溯源，没有官方披露信息。
官方具体信息可以追溯到今年年初：（1）2026年1月6日（两会发布）武汉政府工作报告中提到长江存储和武汉新芯的三期扩产计划；
（2）4月27日细化官宣重点项目提到总投资2600亿元，对应的重点项目确定的包括355个，最开始的方案中包含60个百亿元以上项目、640个十亿元以上项目、2090个亿元以上项目建设。存储项目2600亿元，也就是380亿美元，属于以讹传讹，从5月1日版本不断夸张，目前最新的网络版本是长江存储和武汉新芯布局NAND和DRAM,合计投资380亿美元。
（3）实际可追溯的信息是：
【长江存储三期】：
今年年初消息称三期2026年底完工，2027年达月产5万片，注册资本207.2亿元人民币。预计2027年项目完成以后NAND总产能翻倍，
2026年4月下旬，在官方公众号推文中有提到规划建设两座新晶圆厂，预计每座厂月产能为10万片，具体时间和投资额没有说明。
此外，有路透社说这三座新的晶圆厂将分部分产能用于DRAM，有说50%的，但这个没有定，目前长江存储的DRAM正在送样阶段。【武汉新芯三期】：
新芯主要做NorFLASH，用在车端比较多，具体三期项目在之前的IPO材料中，三期公司IPO申报材料中曾提及三期项目相关募资用途合计约310亿元（含43亿元用于三期项目、5亿元用于技术迭代），但针对三期扩产主体工程的投资额明确为280亿元。武汉新芯原来是长存子公司，后来东湖开发区借国家大基金二期，0元转到长控集团旗下。
综上，5月并没有实际的新产能建设消息出现，扩产带来的涨幅可能已经体现在股价中，警惕该新闻被证伪以后带来的波动。
