武汉大学柯维俊NP:Sn-Pb单结24.19%+全钙叠层30.17%!MPP追踪2000小时保有率>90%!


低维钙钛矿已被广泛用于提升钙钛矿太阳能电池的性能。然而,传统低维钙钛矿依赖于基于氨基的阳离子,其氢键较弱,由于容易发生去质子化而不稳定。武汉大学柯维俊团队于《Nature Photonics》上发表论文“Stable low-dimensional perovskitoids for high-performance all-perovskite tandem solar cells”,引入基于三甲基膦的稳定阳离子,其特征为以P为中心的配体,带有稳定的—CH₃基团。这些阳离子具有显著更高的酸解离常数、抑制的霍夫曼消除和降低的双分子亲核取代敏感性,从而在提供强缺陷钝化的同时抑制降解。基于此:- 1.25 eV Sn-Pb钙钛矿单结太阳能电池实现了24.19%的功率转换效率。
- 单片全钙钛矿叠层器件达到了2.224 V的高开路电压和30.17%的功率转换效率(认证29.18%),在连续最大功率点追踪下2000小时内保持了超过90%的初始效率。
- 1.77 eV WBG单结PSC效率达到20.09%;纯绿光PeLED(ITO/PVK/钙钛矿/TPBi/LiF/Al)的EQE提升至30.7%(BTPCl 1 mg/mL),亮度提升1.3倍。
https://www.nature.com/articles/s41566-026-01972-6在全钙钛矿叠层太阳能电池中,窄带隙(NBG)Sn-Pb混合钙钛矿子电池是实现高效率的关键。然而,Sn-Pb钙钛矿极易氧化,稳定性问题尤为突出。传统的策略是在钙钛矿表面或晶界构建低维(LD)钙钛矿结构——最常用的方法是引入基于氨基的阳离子(如PEA⁺、BA⁺等),通过形成2D/3D异质结来钝化缺陷、阻挡水氧。但氨基阳离子存在三个固有的“死穴”:- 弱氢键与低pKₐ:N-H键易在光热条件下发生去质子化,导致阳离子降解;
- 霍夫曼消除:含β-H的铵盐在加热时易发生消除反应;
- S_N2亲核取代:N的高电负性使α-C高度缺电子,易被I⁻等亲核试剂攻击。
这些弱点使传统氨基低维钙钛矿在长期运行中逐渐“失效”,尤其是在对稳定性要求极高的叠层器件中。团队设计了一种全新的磷中心阳离子——苄基三甲基膦(BTP) ,通过三步策略彻底解决了氨基阳离子的稳定性问题:Step 1:季铵化 → 提高pKₐ。全甲基化形成季铵/季鏻骨架,显著提高酸解离常数,抑制酸碱降解。PEA的pKₐ仅9.82,而BTP高达22.97——去质子化几乎不可能发生。Step 2:消除β-H → 阻断霍夫曼消除。BTP采用苄基和甲基取代,消除了β-H位点,从化学计量学上切断了霍夫曼消除的路径。Step 3:N→P取代 → 抑制S_N2反应。P的电负性低于N,C-P键极性更弱,α-C的亲电性大幅降低,抗I⁻攻击能力显著增强。BTP的各向异性极化率(18.78 ų)比BTMA(16.74 ų)高12.2%,电子云更弥散,电荷离域能力更强。单晶结构解析揭示了一个惊人的事实:BTP阳离子与Pb-I框架形成了一维(1D)钙钛矿结构((BTP)PbI₃) ,其中每个面共享的Pb-I八面体链被六个BTP分子链完全包围——形成了一种前所未有的“阳离子全包裹”构型。与之对比,传统的PEA形成的是二维(2D)RP钙钛矿((PEA)₂PbI₄),Pb-I框架仅被部分覆盖,大量晶面暴露在外。Hirshfeld表面分析:BTP与[PbI₆]之间的H-I相互作用比例为34.4%,高于PEA的31.1%,证实BTP与无机框架的相互作用更强。Ab initio分子动力学(AIMD)模拟(500 K,插入水分子):(PEA)₂PbI₄:1.54 ps时发生可逆去质子化-质子化过程——PEA失去质子给H₂O形成H₃O⁺,随后PEA又夺回质子,最终形成PEA与H₂O之间的氢键(键长1.72 Å)——表明PEA在湿气中极易去质子化;(BTP)PbI₃:水分子在整个模拟过程中始终远离BTP阳离子——BTP具有出色的耐湿性。04 稳定性验证:从薄膜到器件BTPCl(BTP的氯化物盐)处理的Sn-Pb钙钛矿薄膜:水接触角:初始62.7°,9秒后仅降至61.8°(对照55.1°→51.6°),疏水性最强;浸水实验:对照10分钟完全分解,PEACI处理15分钟分解,BTPCl处理薄膜基本保持完整,仅边缘有少量分解;高温高湿老化(85°C,65% RH,100小时):对照和PEACI的XRD中PbI₂峰急剧增强(对照几乎完全降解),BTPCl薄膜无明显PbI₂峰,峰强度几乎不变;Sn⁴⁺含量(XPS):对照29.4%,PEACI 21.9%,BTPCl仅13.4%——Sn²⁺氧化被显著抑制;反向偏压稳定性(-2V和-4V):BTPCl薄膜在偏压应力下表现出明显更强的抗降解能力。结构:ITO/PEDOT:PSS(含或不含BTPCl)/FA₀.₇MA₀.₃Pb₀.₅Sn₀.₅I₃/C₆₀/BCP/Cu冠军目标:VOC 0.87 V,JSC 33.68 mA/cm²,FF 82.33%,PCE 24.19%将BTPCl处理的NBG子电池(1.25 eV,1050 nm)与WBG子电池(1.77 eV,FA₀.₈Cs₀.₂Pb(I₀.₆Br₀.₄)₃,420 nm)集成:冠军效率:30.17%(VOC 2.19 V,JSC 16.49 mA/cm²,FF 83.52%)第三方认证:29.18%,VOC高达2.224 V(全钙钛矿叠层中的最高值之一)MPP追踪(55°C,N₂,封装):2088小时后仍保持90.02%初始效率——相比之下,几乎所有此前报道的PCE>28%的全钙钛矿叠层都在1000小时内出现明显衰减。普适性验证:WBG单结与绿光LED- 1.77 eV WBG单结PSC:VOC从1.27 V提升至1.31 V,PCE从19.05%提升至20.09%
- 纯绿光PeLED(ITO/PVK/钙钛矿/TPBi/LiF/Al):EQE从对照的23.5%提升至30.7%(BTPCl 1 mg/mL),亮度提升1.3倍。
碘化锡(SnI₂)、硫氰酸铅(Pb(SCN)₂,99.5%)、氟化锡(SnF₂,99%)、甲脒碘化物(FAI,99.9%)、甲基碘化铵(MAI,99.9%)和溴化铅(PbBr₂,99%)购自Advanced Election Technology Co., Ltd.。苯乙基溴化铵(PEABr,99.9%)、苯乙基氯化铵(PEACI,99.9%)、金刚烷胺、溴化铯(CsBr,99.999%)、聚N-乙烯基咔唑(PVK)、氟化锂(LiF,>99.99%)、N,N-二甲基甲酰胺(DMF,无水)、1,4,7,10,13,16-六氧杂环十八烷(18-冠-6,99%)、二甲基亚砜(DMSO,无水)、异丙醇、乙二碘化铵(EDAI,99%)和氯苯(99.8%)购自Sigma-Aldrich。聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT:PSS)购自Heraeus Germany Co., Ltd.。BCP(99.5%)购自吉林OLED材料科技有限公司。缩二脲购自Meryer。聚(N,N‘’-双-4-丁基苯基-N,N‘’-双苯基)联苯胺(Poly-TPD)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、丁基氯化铵(BACl)和富勒烯C₆₀(99.9%)购自西安聚光科技。BTPCl、苄基三甲基溴化膦(BTPBr)和丁基氯化膦(BPCl)为实验室自制。所有商业材料均按原样使用,未经进一步纯化。为制备HTL溶液,将约5 mg BTPCl加入1 ml PEDOT:PSS溶液中。混合物在室温下搅拌2小时,随后使用前通过0.45 μm滤膜过滤。NBG FA₀.₅MA₀.₅Pb₀.₅Sn₀.₅I₃钙钛矿:2.0 M浓度的钙钛矿前驱体溶液通过将FAI(1.4 mmol)、MAI(0.6 mmol)、SnI₂(1 mmol)、SnF₂(0.1 mmol)、PbI₂(1 mmol)、BTPCl(0.01 mmol)和Pb(SCN)₂(0.02 mmol)溶解在750 μL DMF和250 μL DMSO中制备。溶液搅拌2小时,使用前通过0.22 μm聚四氟乙烯(PTFE)滤膜过滤。WBG FA₀.₈Cs₀.₂Pb(I₀.₆Br₀.₄)₃钙钛矿:1.2 M浓度的钙钛矿前驱体溶液通过将CsI(0.24 mmol)、FAI(0.96 mmol)、PbBr₂(1.44 mmol)和PbI₂(2.16 mmol)溶解在800 μL DMF和200 μL DMSO中制备。溶液在60°C下搅拌1小时,随后通过0.22 μm PTFE滤膜过滤。发光二极管器件前驱体:钙钛矿前驱体溶液通过将PEABr、CsBr和PbBr₂(0.1 mmol/mL,溶剂为DMSO和DMF以1:1体积比混合,摩尔比0.4:1:1)溶解制备。为钝化缺陷,以3 mg/mL的浓度加入18-冠-6。对于含BTPCl的钙钛矿前驱体溶液,将BTPCl以0 mg/mL至2 mg/mL的浓度范围溶解于原始前驱体溶液中。所有溶液在70°C下搅拌6小时,使用前通过0.22 μm PTFE滤膜过滤。单结NBG PSCs的制备:蚀刻后的ITO基底依次用洗涤剂、去离子水、丙酮、异丙醇和乙醇各清洗15分钟。旋涂前,ITO基底进行等离子体清洗处理(PT13M-SE,江苏雷博科学仪器有限公司)。含和不含BTPCl(5 mg/mL)的PEDOT:PSS溶液在5000 rpm下旋涂(AC200-SE,江苏雷博科学仪器有限公司)30秒,随后在环境空气中140°C退火25分钟。退火后,将基底转移至N₂手套箱中(湿度和氧含量<0.01 ppm)。将45 μL前驱体溶液旋涂于每个基底上,先在1000 rpm下10秒,然后在4000 rpm下40秒。在第二步的30秒时刻,将400 μL氯苯滴加到旋转的基底上。所得钙钛矿薄膜在100°C下退火10分钟。随后,将70 μL EDAI₂溶液(0.5 mg/mL in异丙醇)滴涂并在5000 rpm下旋涂30秒,然后在100°C下退火5分钟。最后,使用高真空系统(<5×10⁻⁴ Pa)在NBG钙钛矿层上依次热蒸发C₆₀(20 nm)、BCP(7 nm)和Cu(100 nm)完成NBG PSCs的制备。器件测量时使用金属掩模限定有效面积(0.0948 cm²,孔径面积为0.070225 cm²)。单结WBG PSCs的制备:ITO基底按上述方法清洗。NiOₓ纳米颗粒溶液在3000 rpm下旋涂(AC200-SE,江苏雷博科学仪器有限公司)30秒,在环境空气中130°C退火30分钟。然后将Me-4PACz溶液旋涂于ITO/NiOₓ基底上30秒,100°C退火10分钟。冷却后,WBG钙钛矿前驱体分两步旋涂:2000 rpm 10秒,然后6000 rpm 40秒。在第二步的30秒时刻,将350 μL乙醚滴加到薄膜中心。薄膜随后在65°C退火2分钟和100°C退火10分钟。将丙烷-1,3-二碘化铵(PDAI)溶液在4000 rpm下旋涂30秒,100°C退火5分钟。最后,在高真空(<5×10⁻⁴ Pa)下依次热蒸发C₆₀(20 nm)、BCP(7 nm)和Cu(100 nm)完成WBG PSCs的制备。器件测量时使用金属掩模限定有效面积(0.0948 cm²,孔径面积为0.070225 cm²)。两端全钙钛矿TSCs的制备:在WBG钙钛矿薄膜制备完成后,通过热蒸发沉积20 nm SnO层。然后,使用原子层沉积(ALD)沉积20 nm SnO层。随后,在2×10⁻⁴ Pa真空下以0.2 Å/s的速率热蒸发1 nm厚的Au层。薄膜厚度使用石英晶体微天平监测。底电池(NBG)采用与单结NBG PSCs相同的工艺制备,完成两端全钙钛矿TSCs的构建。器件测量时使用金属掩模限定有效面积(0.0948 cm²,孔径面积为0.070225 cm²)。绿光发光二极管的制备:Poly-TPD薄膜通过将10 mg Poly-TPD溶于1 mL氯苯中,以4000 rpm旋涂30秒,然后在100°C退火10分钟制备。PVK薄膜通过将5 mg/mL的氯苯溶液在相同条件下旋涂,140°C退火15分钟形成。随后,[2-(9H-咔唑-9-基)乙基]膦酸(2PACz)薄膜从0.4 mg/mL的乙醇溶液中旋涂,100°C退火10分钟。钙钛矿薄膜采用刮涂法(PF200-H,江苏雷博科学仪器有限公司)制备。基底通过真空吸附固定在45°C加热台上。刮刀置于基底左边缘,间隙150 μm,用移液枪将10 μL钙钛矿前驱体溶液加入间隙中,刮刀以10 mm/s的速度移动。涂布后,使用N₂气刀(流速10 L/min,速度10 mm/s)快速干燥薄膜。基底随后在100°C退火8分钟。最后,在真空腔中通过热蒸发沉积传输层和电极。TPBi(40 nm)和LiF/Al(1.2/60 nm)使用阴影掩模在4.0×10⁻⁴ Pa压力下沉积。器件有效面积为4 mm²(2 mm×2 mm)。
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