近期梳理武汉新芯招股书，TOF领域布局

• 核心技术载体：3DLink™三维集成技术平台，包括已量产的两片晶圆堆叠（S-stacking®）、完成研发的多片晶圆堆叠（M-stacking®）及在研的异质集成（Hi-stacking™）。
• 核心互连方案：晶圆级Cu-Cu混合键合（Hybrid Bonding），利用纳米级铜互连实现高密度、高对准精度的连接，其键合良率已达99.5%。
• 核心器件方案：CMOS图像传感器（CIS）全流程工艺，可根据客户需求提供灵活的CIS与ToF组合代工方案。

• 3DLink™三维集成平台：负责将逻辑芯片与存储芯片等高密度垂直互连。目前的两片晶圆堆叠（S-stacking®）已实现成熟量产，是支撑三维集成领域收入快速增长的核心支柱。
• 数模混合工艺平台：负责制造构成TOF传感器的逻辑、射频、像素等基础单元，其中55nm RF-SOI工艺平台已实现量产，器件性能国内领先。

相较业内三大竞争优势 (TOP 3)

1. 差异化技术路径：以“成熟制程+先进架构”实现高性能，成熟制程的逻辑与存储晶圆进行三维堆叠，可迸发出媲美先进制程产品的性能。例：客户利用其38nm Memory和40nm SoC堆叠，实现了高达1840GB/s的互联带宽和25 TOPS的算力，与XX 5nm工艺芯片的26 TOPS算力相当。
2. 显著的系统级性能优势：更高带宽、更低功耗、更小体积，纳米级互连可实现极高互联密度和对准精度，相较传统2.5D封装技术带宽提升30%、功耗降低20%，且垂直堆叠能大幅减小芯片占用面积，满足终端小型化需求。
3. 大规模量产与产业生态壁垒，先发与量产：自2012年起布局，有超8年经验，是国内在三维集成领域起步最早的厂商之一。

CIS/TOF主要客户是谁？与晶合集成的客户群是否有重叠？

• 思特威（SmartSens）：双方于2025年签署深化战略合作协议，晶合集成在2026年第一季度，每月向思特威交付15,000片堆栈式晶圆。思特威是晶合集成2024年的第一大客户，收入占比达17.99%。
• 格科微（GalaxyCore）：同样是晶合集成的核心客户，双方在CIS领域合作紧密。

1. 制程节点：

• 晶合集成：已批量量产55nm全流程堆栈式CIS芯片，广泛应用于智能手机主摄、辅摄、前摄以及车载摄像头等场景；正在向40nm推进，并已启动28nm逻辑工艺平台开发。
• 武汉新芯：现有产能以40nm及以上工艺制程为主，55nm RF-SOI平台虽已量产，但其CIS业务的制程节点仍高于40nm，与晶合集成存在一代（40nm → 55nm）的差距。

2. 产能规模：差距明显

• 晶合集成：月产能约11万片（12英寸晶圆），CIS平台产能持续满载、供不应求，是规模效应最显著的国产CIS代工厂。
• 武汉新芯：月产能约6万片，加之CIS在其业务中占比本身不高，可用产能与规模效应均逊于对手。

3. 市场定位与战略优先级

• 晶合集成：已形成DDIC + CIS双核心的业务格局，CIS平台是公司未来增长的第一引擎。公司通过激进的价格策略和大规模产能扩张，在CIS代工市场已形成显著的市占率优势和较强的议价能力。TOF潜在机会点。
• 武汉新芯：CIS业务隶属于"数模混合"板块，在该板块内的战略优先级低于RF-SOI、CIS，加之特色存储（NOR Flash）和三维集成仍是公司最重要的战略方向，CIS及TOF并非其最核心的业务发力点。