武汉市2026届物理四月供题试题评析(10)

【题目10】

如图所示，光滑水平面上放置一个边长为L的正方形导线框abcd。在0≤x≤L与L≤x≤2L的区域内存在垂直水平面大小相等方向相反的匀强磁场，现给线框初速度v₀让其垂直边界进入左侧磁场，线框cd边恰好能出右侧磁场，已知线框ab边刚进入左侧磁场时所受安培力大小为F₀，线框始终垂直于磁场。则运动过程中线框速度大小v、所受安培力大小F与线框位移关系正确的是

【试题情境】

学习探索问题情境。以正方形导线框穿过反向相邻双匀强磁场区域为物理模型，考查电磁感应、安培力、变减速运动及图像分析，属于电磁感应多过程理论探究类问题。

【核心价值】

智育功能：通过线框穿越反向磁场的多过程分析，深化电磁感应、安培力与电磁阻尼规律理解，培养分段分析、动态推理的科学精神与学会学习的能力。

【必备知识】

安培力计算、楞次定律、变加速运动规律、物理图像分析。

【关键能力】

模型建构能力、推理论证能力。

【学科素养】

物理观念：体现磁场与电流的相互作用观、电磁感应中的能量观、导体在安培力作用下的运动观；科学思维：建构线框分段进入、跨越分界、离开磁场的运动模型，依据电磁感应和安培力公式，推理速度、安培力随位移的动态变化规律，利用物理规律分析图像特征。

【考核目标】

本题考查物理学科核心素养中“物理观念” 的运动与相互作用观念、能量观念；侧重 “科学思维” 的模型建构、科学推理与图像辨析能力。要求学生能对线框穿越反向双磁场进行分段建模，分析感应电动势、安培力、速度的动态变化，结合电磁阻尼规律判断图像特征，解决电磁感应多过程图像类问题。

【答案】AC

【经典赏析】

本题【解题思路】参考以下老师的试题详解

王大舟  魏勇  龙世春  罗艳  龚静

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