1、项目概况
本项目将在公司现有场地上购置一批先进的研发及检测设备，建设研发中心；吸引行业优秀人才，建设稳定的研发团队，聚焦下一代硅光应用高功率激光器芯片、超高速 EML 激光芯片、下一代接入网用光芯片、光子集成芯片研发等与公司主营业务、战略发展规划密切相关的课题进行研究，从而实现公司研发实验能力的综合提升。
本次项目的实施有助于公司积极把握光通信及下游产业发展机遇，提升公司研发能力，充分发挥 IDM 运营模式特点及各环节协同优势，通过完善研发管理体系、优化产品开发流程，加快公司中高端光芯片产品的研发及产业化进程，最终助力国内光通信产业高质量发展，为保障我国数字经济产业自主可控发展发挥积极作用。项目投资预算为 11,614.00 万元，包含设备投资 8,232.00 万元及研发费用 3,382.00 万元。
受益于 AI 算力产业链的爆发式增长，光通信芯片呈现向更高速率、更大容量、更远传输距离迭代的趋势，同时产生了小型化、集成化的发展需求，电吸收外调制激光器（EML）应运而生。公司在成熟掌握 DFB 激光器制造技术的基础上，从结构设计、对接方案、高温特性设计、封装等方面实现 DFB 芯片和其他芯片高质量的耦合集成，成功开发了 EML 芯片并形成了独立自主的核心技术，突破了传统非集成光芯片在传输速率、传输距离上的瓶颈。报告期各期，公司 EML 类产品销售收入分别为 632.52 万元、2,743.72 万元及 5,537.53 万元。
2、项目建设必要性分析
（1）积极把握行业发展机遇，提升公司研发实力
当前，全球电动化、自动化与智能化进程持续深入，数据中心、5G 通信及人工智能等领域对高速光模块的需求迅速增长。公司需通过持续研发，加快产品上市节奏，以把握相关市场带来的增长机遇。不同应用场景对光模块的传输速率、功耗、集成度及可靠性提出更高要求，这也对光通信芯片厂商的技术积累与研发创新能力构成挑战。
本项目将通过加大研发场地、设备、软件及人才引进等方面的投入，建设研发中心系统提升公司的技术研发能力。项目的实施将有助于增强公司整体研发实力，助力产品性能提升，为公司综合竞争力提升及长期稳定发展奠定坚实基础。
（2）巩固 IDM 全流程协同效应优势，实现公司产品综合竞争力提升
对于采用 IDM 模式的光通信公司而言，研发基地是打通产业链、实现高效协同的核心枢纽。它使芯片设计、工艺制程与模块组装能够在统一平台深度联动，大幅缩短新产品的研发与设计周期。
通过研发与制造环节的密切配合，公司能充分发挥 IDM 运营模式的优势，打破部门壁垒，实现高效协同。例如，下一代硅光高功率 CW 激光器与下一代高速率 EML 激光器芯片的并行开发，便依赖该平台进行工艺升级和精准调试，从而显著提升产品良率与性能一致性。
本次项目将建设研发中心，进一步将公司协同优势转化为市场竞争力。项目实施将推动研发端对客户定制化需求做出快速响应，并通过与生产的紧密协作，实现研发到制造的高度协同。同时，研发中心的建设将有力支持公司的本地化测试与验证工作，减少对外部供应商的技术依赖，强化供应链自主可控与稳定性，为公司产品的综合竞争力提供坚实保障。
（3）改善公司研发环境、提高研发效率与研发质量
光通信芯片行业对从业人员的素质要求极高。良好的研发环境和技术工艺的积累对于吸引、培养高素质专业人才具有重要意义。公司拟通过本项目购置先进生产检测设备和设计开发软件，改善公司研发环境，吸引、培养高端人才，从而抓住国内光芯片行业发展的契机，积极研发高速率光芯片和面向硅光的光芯片等产品。
持续创新是公司产品的核心竞争力，而提高产品设计与测试能力是技术创新的关键点。随着产品品类的开发升级和业务的飞速发展，公司提高研发效率与质量的需求愈发强烈。公司拟购置先进的电子束曝光系统、金属有机气相外延炉、高精度光刻机等生产设备和芯片光电测试系统、高频测试系统等检测设备及设计开发软件，提升研发的软硬件设施水平，建立标准化研发平台，提升核心竞争力。
3、项目建设可行性分析
（1）丰富的行业经验，为项目顺利实施奠定了坚实的技术基础
光通信芯片行业属于技术密集型行业，其发展高度依赖于持续的技术创新与研发积累。公司长期坚持以市场为导向，将科技创新作为核心驱动力，紧密跟踪行业技术趋势，并通过前瞻性研发布局，不断深化对行业内在逻辑的理解。
为构建核心竞争力，公司近年来持续保持高强度的研发投入，近三年平均研发费用率为 20.53%，为技术创新提供了坚实保障。通过多年自主研发与生产实践，公司在光通信芯片设计、外延生长、晶圆制造、芯片加工、封装、测试、性能与可靠性验证等各流程形成了深厚的技术积淀，并取得了一系列自主知识产权。截至 2025 年 12 月，公司及子公司已累计发明专利 33 项、实用新型 19 项及
软件著作权 9 项，这些成果成为支撑公司产品开发与产业链延伸的重要基础。同时，公司地处武汉光谷，依托该区域丰富的高校、科研机构与产业人才资源，建立了稳定高效的人才供给与产学研合作机制，进一步强化了研发体系的可持续创新能力。
综上，通过持续的技术投入、扎实的研发积累以及区位人才优势，公司已在光通信芯片领域形成了较强的技术实力与成果储备，为后续战略实施与项目落地提供了可靠的技术支撑。
（2）科学完善的研发管理体系，为项目高效推进提供了体系化保障
科学、完善的技术研发体系及研发制度，是保证技术研发活动正常开展、激发技术研发人员活力的重要基础。公司作为以创新为驱动的光模块企业，在长期实践中逐步构建起一套层次清晰、运行高效的研发支撑系统。
在组织架构上，公司在研发中心下设研发一部、研发二部等部门，职责明确，保障研发活动协调开展。制度层面，公司围绕研发管理形成了系统化的规范文件，包括《产品开发流程》、《产品生命周期管理流程》、《FAE 工作流程》等文件，这些制度明确了从产品开发、上市到后期支持的全过程管理要求，为研发活动的有序开展提供了清晰的依据与保障。
研发流程体系上，公司严格执行研发内控与流程管理，研发流程包括需求调研、项目立项、技术开发、流片试制、小批量试产、量产六个阶段。该流程实现了研发各环节的闭环管理。公司通过组织结构、管理制度与流程体系三方面的有机结合，形成了完整且高效的研发运行系统，为公司的研发活动的顺利开展提供有力支持。
4、项目投资概算
项目投资预算为 11,614.00 万元，包含设备投资 8,232.00 万元及研发费用 3,382.00 万元，其中，设备投资主要用于购买研究、测试相关设备，研发费用主要为研发人员薪酬及研发材料费用。
5、项目实施进度安排
本项目建设期 3 年，建设期分 3个阶段工作实施。实施主体武汉云岭光电股份有限公司。
6、项目选址及环境保护
本项目选址位于湖北省武汉市东湖新技术开发区华工科技园内 2 栋，不涉及新取得土地或房产。本项目建设实施过程中产生的噪音低、污染小，经过环保治理措施处理后，对环境的影响较小，符合环保要求。
7、项目审批及备案程序的履行情况
研发中心建设项目备案编号2602-420118-04-01-996578。 项目环评编号武新环告(2026)41 号。
经咨询湖北省发展和改革委，公司研发中心建设项目现阶段无需在发改部门履行除固定资产投资项目备案之外的其他审批程序。
8、项目符合国家产业政策和法律、行政法规的说明
公司本次投资项目符合国家产业政策、环境保护以及其他法律、法规和规章的规定。国家产业政策的出台，为光通信行业发展创造了良好的制度及政策环境。如《中华人民共和国国民经济和社会发展第十五个五年规划纲要》（以下简称“十五五规划纲要”），明确提出深化第五代移动通信（5G）、千兆光网规模部署，推进第五代移动通信演进（5G-A）、万兆光网建设发展和第六代移动通信（6G）技术创新，深入推进东数西算工程，构建多层次算力设施体系和全国一体化算力网，是未来五年相关产业发展的纲领；《国家数据基础设施建设指引》、《电子信息制造业 2025－2026 年稳增长行动方案》等专项产业政策，是支持高速率光芯片、5G-A/6G、数据中心等发展的具体措施。
一方面，国家明确提出重点加强超高速、超大容量、超长距离光通信技术研发及应用，将光通信关键器件列为对行业有重要影响和瓶颈制约的产业关键共性技术予以优先发展；另一方面，国家大力推进“数字中国”建设，加快构建全国一体化大数据中心体系，提升算力高效运载能力，加快千兆光网与 5G 网络协同建设，推进万兆光网试点、及 5G 网络向 5G-A/6G 升级演进，将为公司带来持续增长的市场需求。
9、公司竞争优势
①极具创新能力的研发团队，持续高强度的研发投入
公司构建了一支以归国博士为核心、具备国际一流水平的光芯片研发团队，核心技术人员具备二十年以上光芯片研发及产业化经验，曾任职于国内外光通信龙头企业，具备丰富的研发或管理履历，主导或参与过国际前沿光芯片产品的研发，全面掌握了从芯片设计到封装测试全流程的研发经验。截至报告期末，公司研发人员共计 55 人，占员工总数的 12.42%，其中博士 4 人，硕士及以上学历研发人员占比达 43.64%。
报告期各期，公司研发投入的金额分别为 4,038.76 万元、3,355.53 万元和3,725.74 万元，占营业收入的比例分别为 31.89%、22.97%和 13.85%，较高水平的研发投入支撑公司持续输出优质研发成果，使公司的技术水平始终保持在国内领先水平。依托研发团队的前沿技术积累与创新开发能力，公司充分发挥 IDM 模式优势，掌握了覆盖芯片设计、外延生长、晶圆制造、芯片加工、封装、测试、性能与可靠性检验各环节的核心技术，形成了具有自主知识产权的科研成果，并以技术诀窍（Know-How）方式保有众多工艺及专有技术。
公司在传统光通信芯片结构基础上提出创新方案，围绕激光器芯片的阈值电流、斜效率、输出功率、发散角等核心指标不断实现技术突破，持续提升产品可靠性并形成差异化竞争优势，同时，公司也在工艺优化与降本增效等方面持续进行技术创新，助力我国高端光通信芯片的发展。此外，公司拟定了清晰的战略规划与产品开发路径。
目前，公司致力于加快推进 50G/100G EML、70mW/100mW CW 激光器芯片的客户验证与销售，并牢牢把握行业发展趋势，积极布局 200G 及以上超高速率、激光雷达发射端芯片、硅光子技术、PIC（光子集成）技术等前沿方向，形成了一定的技术储备，相关的多个研发项目已进入技术开发或流片试制阶段。
②公司具备自主可控核心技术
国内大多光芯片厂商具有除外延生长之外的后端加工能力，但在核心的 MOCVD 外延生长技术上并不成熟，而高质量的外延生长是实现光通信芯片及下游器件高速率、高性能与高可靠性的关键，尤其是 25G 及以上的高速率激光器芯片对外延生长质量要求极高，若外延片依赖进口，将导致其生长质量不可控，使产品性能易偏离预期。
因此，MOCVD 外延生长是光通信芯片制程中最关键的工序之一，也是我国高端激光器芯片方面亟待突破的瓶颈工艺。公司具备自主可控的 MOCVD 外延生长能力，在外延生长过程中精准把控并持续优化生长温度、气体流量、反应室压力等参数，精细操作金属有机源切换等工艺环节，从而实现均匀、低缺陷的纳米级薄膜生长，实现了外延生长与后端工序的完全适配，从源头保证产品的优良性能与高可靠性。
③产品更新迭代紧跟主流技术方案
在 25G 激光器芯片领域，公司在国内较早地实现了 25G DFB 激光器芯片的规模销售，10G/25G EML芯片均已量产供货，报告期内 25G 速率产品已成为公司增长速度最快的核心业务。
在 50G/100G 激光器芯片领域，公司在国内较早地布局 EML 芯片的研发并形成了独立自主的核心技术，开发了针对不同产品和应用需求的多种技术方案，能够在保证 DFB 有源区和 EAM 有源区制备质量的前提下，实现两者在单颗芯片上的高质量耦合集成。截至报告期末，公司已实现 56G Baud EML（单通道传输速率 100G）芯片产品量产。在硅光芯片所需的 CW 激光器领域，公司 70mW/100mW 产品已向一线光模块厂商批量供货，150mW 及更高功率的 CW 光源产品亦逐步迭代。
④严苛的检测、测试工序，保障了产品性能及稳定性
公司高度重视产品质量，针对性能及可靠性检验环节形成了表征及性能检测技术、可靠性及失效分析技术两项核心技术，建立了完善、高效、实用、可信任的检测平台。依托于该平台，公司将人工外观检测、光电性能检测等质检手段贯穿于生产的各个环节，逐级淘汰不良品，及时拦截失效品或失效批次，有效提升生产良率并保障产品的高品质。此外，成品制造完成后，公司还需执行高温老化、高低温循环、湿热老化、带电老化等各类环境压力测试，确保产品在各类恶劣环境下长寿命、高可靠性地工作，主要产品老化测试时间超过行业标准，有效保证了交付产品的稳定性，增强了客户黏性。
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