1、项目概况
本项目计划总投资 87,287.34 万元，计划在现有场地上新建设产线，用于光通信芯片的产能提升，其中建设装修投资 1,159.00 万元，设备投资 80,082.34 万元，软件投资 1,046.00 万元，铺底流动资金5,000.00 万元。
本项目拟在公司现有场地购置高精度自动化设备，建设 CW 激光器、EML 激光器等光芯片产品生产线，突破公司光芯片产能瓶颈，加速公司中高端产品产业化落地，丰富公司产品矩阵，服务于公司长期可持续健康发展。项目完成达产后预计将新增 70mW/100mW CW 激光器产能 1,875.00万颗/年，以及 56G Baud EML 激光器产能 1,500.00 万颗/年。
云岭光电是拥有自主知识产权、具备全流程生产能力的光通信芯片及封装产品供应商。公司采用 IDM 经营模式，具备覆盖芯片设计、外延生长、晶圆制造、芯片加工、封装、测试、性能及可靠性验证等完整工艺环节的垂直整合能力，构建了高度可复用的平台级技术体系，实现了从材料到芯片及封装产品的技术闭环。依托 IDM 全流程技术平台，公司确立了“1 个 IDM 平台+N 类光芯片产品”的发展模式，一方面持续巩固和深化在无线、接入网等传统电信领域的产品迭代能力，另一方面向算力中心、激光雷达等新兴应用场景拓展，实现新产品的高效开发与迭代。
光通信芯片的功能示意图如下：
公司主要产品为应用于光通信领域的各类型激光器、探测器芯片及封装产品，包括 CW 激光器芯片、EML 激光器芯片及封装产品、DFB 激光器芯片及封装产品、PIN/APD 探测器产品。已陆续实现应用于 5G 领域的 25G DFB、应用于高速率接入网的 10G/25G/50G EML 及应用于数据中心领域的70mW/100mW CW 激光器（400G/800G 硅光模块光源）、56G Baud EML（通过 PAM4 调制，可实现单通道 100G 的传输速率，应用于 400G/800G 光模块）等主流激光器产品量产。
公司采用 IDM 模式，具备芯片设计、外延生长、晶圆制造、芯片加工、封装、测试、性能及可靠性验证的全流程加工能力。公司主要产品的工艺流程图具体如下：
2、项目建设必要性分析
（1）突破产能瓶颈，积极把握光通信历史发展机遇
光通信芯片行业受到下游人工智能、云计算、5G 通信等行业爆发性增长驱动，近年来行业持续发展。公司当前产能利用率保持在较高水平，亟需扩充产能，以积极把握下游市场发展机遇。本项目将购置 MOCVD（金属有机化学气相沉积）设备、曝光机等一批先进制造设备，有效提升公司光通信芯片产能。
（2）加速高端产品产业化落地，丰富公司产品矩阵
随着通信技术发展，数据中心、通信基站等新型基础设施的通信传输速率从 25G 逐步迭代至100G、200G、400G 及更高速率时代，高速率光模块的市场需求不断凸显。通过本项目的实施，公司将根据 56G Baud EML、70/100mW 硅光激光器等高速率、高功率光通信芯片产品生产要求，引进高精度自动化生产、测试设备，建设先进自动化生产线，加速新产品的规模化生产与市场投放进程，进一步巩固公司在高端光芯片领域的竞争优势。
（3）助力高速率光通信芯片高质量发展
目前，国内企业主要集中于 25G 以下光芯片产品的生产和制造，而 50G 及以上高端光芯片生产仍由海外企业主导，国内需求对进口依赖性极高，本项目生产的 56G Baud EML 激光器、70mW/100mWCW 激光器产品将有助于高速率光通信芯片高质量发展。
3、项目建设可行性分析
（1）光芯片及下游市场前景广阔，项目实施产能消化具备充分的市场空间
光通信芯片市场呈现强劲增长态势。随着新兴技术在速率、集成度及能效方面持续突破，光通信芯片有望成为下一代光通信技术升级迭代的核心推动力。
多家权威机构预测，全球光通信芯片市场规模将保持高速增长：根据纳真科技招股说明书引用的弗若斯特沙利文数据，全球光通信芯片市场销售收入从 2020 年的 131 亿元增至 2024 年的 249 亿元，年复合增长率为 17%，预计到 2029 年将达到 665 亿元，2024 年至 2029 年的复合增长率为 22%；
根据源杰科技招股说明书引用的灼识咨询数据，2020 年至2024 年，全球激光器芯片市场规模由 8 亿美元增长至 26 亿美元，年复合增长率为 33.3%，预计到 2030 年将增至 229 亿美元，2024 年至 2030 年的复合增长率为 44.1%。不同来源的市场数据均表明，未来光通信芯片市场需求将保持高速增长，行业发展前景广阔。
（2）基于 IDM 模式的完整研发、制造流程构筑深厚技术壁垒，为项目实施提供技术支撑
公司产品均为独立自主开发设计，依托于 IDM 经营模式，负责芯片设计、晶圆制造、芯片加工、封装、测试等各个环节的研发人员在研发中心高度协同，共同完成产品研发与升级，有助于实现高效的研发创新和优质的产品设计。
经过多年深耕，公司已逐渐形成“结构设计与建模仿真技术”“MOCVD 外延生长技术”“高精度电子束光栅制造技术”“脊波导制造技术”等 14 项核心技术及制造平台，并以技术诀窍（Know-How）及知识产权等方式进行技术积累。
本次项目主要为 56G Baud EML 芯片及 70mW/100mW CW 激光器的规模化生产，产品应用于国内外主流数据中心、通信基站光模块，市场需求规模较大，产能消化风险较低，项目实施具备市场消化可行性。
4、项目投资概算
本项目计划总投资 87,287.34 万元，计划在现有场地上新建设产线，用于光通信芯片产品的产能提升，其中建设装修投资 1,159.00 万元，设备投资 80,082.34 万元，软件投资 1,046.00 万元，铺底流动资金 5,000.00 万元。
（1）建设投资
本项目拟在公司现有场地实施，不涉及新增土地情况，建设投资主要为现有厂房翻新的工程建筑费用，具体明细如下：
前段工艺车间 2,000.00万元， 后段工艺车间 6,000.00 万。
（2）设备和软件投资
本项目设备投资和软件投资共计 81,128.34 万元。
（3）铺底流动资金
本项目铺底流动资金预计 5,000 万元。
5、项目实施进度安排
本项目建设期拟定为 3 年。
6、项目选址及环境保护
本项目选址位于湖北省武汉市东湖新技术开发区华工科技园内 2 栋，不涉及新取得土地或房产。
本项目建设实施过程中产生的噪音低、污染小，经过环保治理措施处理后，对环境的影响较小，符合环保要求。
7、项目审批及备案程序的履行情况
算力中心高速光通信芯片扩产项目备案编号 2602-420118-04-01-230878 。项目环评编号武新环告(2026)40 号
经咨询湖北省发展和改革委，公司算力中心高速光通信芯片扩产项目现阶段无需在发改部门履行除固定资产投资项目备案之外的其他审批程序。
算力中心高速光通信芯片扩产项目于 2026 年 2 月办理了“2602-420118-04-01-230878”号《湖北省固定资产投资项目备案证》。云岭光电于 2026 年 5 月变更了该项目投资规模，并重新办理取得了“2602-420118-04-01-230878”号《湖北省固定资产投资项目备案证》，项目总投资由“60,131.86 万元”增加至“90,131.86 万元”，其余建设地点、建设性质、建设内容、产能规模等信息均未变动。
针对“算力中心高速光通信芯片扩产项目”，云岭光电委托武汉众联合达环境技术有限公司编制了《算力中心高速光通信芯片扩产项目环境影响报告表》（以下简称“《报告表》”），并已于 2026 年4 月 3 日取得了武汉东湖新技术开发区生态环境和水务湖泊局于签发的“武新环告〔2026〕40 号”《关于算力中心高速光通信芯片扩产项目环境影响报告表的批复》。
鉴于“算力中心高速光通信芯片扩产项目”投资总额变动后，产能规模相应增加，公司已根据相关法律、法规规定重新申请报批环境影响评价文件。
8、项目符合国家产业政策和法律、行政法规的说明
公司本次投资项目符合国家产业政策、环境保护以及其他法律、法规和规章的规定。
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