【武汉都市圈】这一国产存储巨头,冲击IPO‌!

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继长鑫科技之后，又一国产存储巨头宣布启动IPO。

5月19日，证监会官网披露，长江存储控股股份有限公司（以下简称“长江存储”）IPO辅导备案已于当日获湖北证监局受理。辅导备案报告显示，辅导机构为中信证券、中信建投证券。

在存储芯片已成为当前全球AI产业核心战略物资的背景下，长鑫科技与长江存储均属于A股市场稀缺的“存储原厂型”核心资产，两家企业的IPO进程因此备受资本市场瞩目，市场对其估值猜想也持续升温。

就在5月17日，长鑫科技刚刚更新了招股说明书，2026年一季度公司业绩迎来爆发式增长：实现营业收入508亿元，同比增长约7.2倍；实现扣非归母净利润263.41亿元，同比暴增近20倍。同时，长鑫科技预计，2026年上半年，公司实现营收1100亿-1200亿元，实现扣非归母净利润520亿-580亿元。

多家券商发布研报指出，存储行业高景气度有望贯穿2026年全年并延续至2027年。随着长江存储与长鑫科技相继冲刺资本市场，中国存储力量正在从“跟跑”向“并跑”转变，两家公司不仅是国产存储芯片“补短板”的核心载体，也正成为重塑A股科技生态底色的重要变量。

长江存储入局IPO

公开资料显示，长江存储成立于2016年12月，总部位于湖北武汉，其业务涵盖集成电路芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品等领域，是中国大陆唯一具备3D NAND闪存芯片完整产业链能力的IDM（设计制造一体化）企业。

不同于传统闪存芯片制造路径，长江存储自主研发的Xtacking（晶栈）堆叠架构技术，将存储单元与逻辑电路分开制造再键合，有效规避了对先进光刻设备的依赖。专业人士表示，这一差异化技术路径使长江存储即便在外部制裁环境下，仍能持续迭代。目前，公司已实现232层及以上3D NAND闪存的量产，性能达到国际主流水平。

基于这一技术平台，长江存储形成了包括3D NAND闪存晶圆及颗粒、嵌入式存储芯片，以及消费级、企业级SSD（固态硬盘）等在内的产品体系，相关产品广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。

技术上的突破也赢得了市场积极回应。据市场调研机构Counterpoint Research数据，2025年第四季度，长江存储全球NAND闪存出货量市场份额约为11%，直逼美光科技、闪迪公司。另据媒体报道，苹果正计划让国行iPhone机型搭载长江存储NAND闪存芯片，以此应对全球存储芯片持续涨价带来的利润压力，打破长期依赖韩系厂商的供应格局。

从股权结构来看，长江存储无控股股东，呈现“国资引领、产业协同、多元持股”的特征。第一大股东为由武汉光谷管委会、湖北省国资委、武汉市国资委联合持股的湖北长晟发展有限责任公司，直接持股26.5442%；其他核心股东包括武汉芯飞科技投资有限公司（持股25.3538%）、国家集成电路产业投资基金一期与二期（分别持股11.9691%、11.3761%）、武汉光谷产业投资（持股9.255%）等。

AI催生存储“超级周期”

大模型与生成式AI的持续演进，正推动数据中心基础设施的投资逻辑发生结构性变化。

“算力芯片虽仍是核心底座，但单一强调GPU或AI加速卡已不足以应对集群规模扩张带来的系统级挑战。”有业内人士表示，带宽拥堵、数据搬运延迟、参数容量瓶颈等问题，使得高带宽内存（HBM）、动态随机存取存储器（DRAM）、NAND闪存等存储产品的战略地位迅速上升。

这一趋势在存储产品的量价走势上表现得尤为突出。财报数据显示，2026年一季度，三星电子DRAM与NAND混合平均售价较2025年全年均值暴涨146%；SK海力士DRAM均价环比涨超60%，NAND均价环比涨超70%。

就是在这股由AI算力需求引爆存储芯片的“超级周期”下，长江存储与长鑫科技，一家主攻3D NAND、一家聚焦DRAM，共同构成了国产存储芯片的“双子星”格局，登陆资本市场后，将补齐A股存储板块的“原厂短板”。

比长江存储提前约10个月启动IPO辅导备案的长鑫科技，其科创板上市申请于2025年底获上交所受理，成为A股首单预先审阅项目。历经两轮问询后，因财务资料过期于2026年3月底中止审核，5月17日更新招股说明书后恢复推进。

据招股说明书，长鑫科技专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售，是中国大陆唯一实现DRAM规模化量产的IDM厂商，其产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器及智能汽车领域。

按照产能、出货量和销售额统计，长鑫科技已成为全球第四大DRAM制造商，仅次于三星、SK海力士和美光三大国际巨头。基于Omdia数据测算，按2025年第四季度DRAM销售额统计，长鑫科技全球市场份额已增至7.67%，并有望随着技术迭代与产能扩张进一步提升。

有分析人士认为，两家企业IPO动向备受关注，其战略价值不仅体现在单一技术或产品的突破上，更在于对整个国产半导体产业链的系统性带动。

当前，三星、SK海力士、美光等国际巨头纷纷将产能向HBM和服务器级产品倾斜，系统性压减了通用DRAM和消费级NAND的产能投放，导致通用存储市场的供给缺口急剧扩大。在这一窗口期，长江存储与长鑫科技凭借技术积累和产能规模，有望加速填补国产供给缺口，并带动国产设备、材料等上游供应链协同发展。

来源：黄荆山Daily综合金融时报

编辑：荆山君