Bi2O2S-BiOBr异质结通过原位沉积法制备(如图1所示)。将预先合成的Bi2O2S以不同浓度分散于80 mL去离子水中,随后加入0.485 g Bi(NO3)3·5H2O和0.119 g CTAB。混合物在室温下搅拌2 h后,升温至80 °C继续搅拌2 h。所得固体经去离子水和乙醇洗涤后,于60 °C真空干燥12 h。
图1. Bi2O2S-BiOBr异质结的制备流程图
FESEM和HRTEM显示Bi2O2S均匀分散于BiOBr表面,形成2D-2D结构,增强异质结界面接触;HRTEM观察到0.325 nm(Bi2O2S(120))和 0.198 nm(BiOBr (200))的晶格条纹,证实异质结界面。
图2. 20%Bi2O2S-BiOBr的FESEM图像(a, b)、HRTEM图像(c, d)以及HAADF图像和EDS映射图像Bi、Br、O和S的元素分布(e)情况
图3比较了不同催化剂的CIP降解效率。Bi2O2S-BiOBr复合材料的降解速率明显高于纯Bi2O2S或BiOBr。值得注意的是,光催化性能强烈依赖于复合材料中Bi2O2S的含量,其中20%Bi2O2S-BiOBr样品表现出最高活性。这种增强源于更宽的光吸收范围促进更多载流子生成,以及界面内建电场实现更高效的电荷分离与转移。进一步考察了20%Bi2O2S-BiOBr的稳定性,经过5次循环后,20%Bi2O2S-BiOBr对CIP的光催化降解活性仍基本维持在初始水平。
图3. 不同样品的光催化CIP降解性能(a);20%Bi2O2S-BiOBr光催化降解CIP活性物种捕获实验(b)
原位光照XPS测试结果显示(图4a-b),Br元素在光照条件下的结合能相较于暗态条件下向高结合能的方向偏移;而S元素向低结合能方向偏移,这些结合能偏移的方向能够说明电子从BiOBr的导带转移到了Bi2O2S的价带,符合S型异质结电子转移机制。Bi2O2S在与BiOBr接触前,二者保持稳定的状态。当二者接触后,由于Bi2O2S的费米能级高于BiOBr,电子从Bi2O2S向BiOBr迁移,形成了由Bi2O2S指向BiOBr的内建电场。在光照条件下,电子从BiOBr导带转移到Bi2O2S的价带,形成S型电荷转移机制(图4c)。
图4. 20%Bi2O2S-BiOBr的原位XPS光谱:Br 3d(a),S 2s(b);20%Bi2O2S-BiOBr接触前后S型异质结的形成和所提出的电荷分离机理(c)
在fs-TA二维伪彩图谱中,BiOBr在480–600 nm波长范围内出现了宽的负信号(ΔA),这主要源于基态漂白(GSB)与受激发射(SE)信号的共同作用。与之类似,20%Bi2O2S-BiOBr在同一波段也呈现出相似的负ΔA信号。由于20%Bi2O2S-BiOBr复合体系中BiOBr的比例较高,其fs-TA响应主要来自BiOBr组分。从BiOBr与20%Bi2O2S-BiOBr的fs-TA光谱(图5c和d)可以看出,信号强度在约1 ps时达到峰值,之后随延迟时间增加逐渐衰减,反映出光生电子的产生与复合过程。
图5. BiOBr(a)和20%Bi2O2S-BiOBr(b)的伪彩fs-TA谱图,BiOBr(c)和20%Bi2O2S-BiOBr(d)的fs-TA谱图
为进一步理解电子的猝灭行为,提取500 nm处的fs-TA衰减曲线,并采用指数函数进行拟合(图6a和b)。纯BiOBr的衰减曲线符合双指数模型,揭示了两种主要的电子猝灭通道:寿命τ1 (0.33 ps)对应于浅陷阱态中的快速电子俘获过程,而τ2 (11.46 ps)则归属于深陷阱态的电子俘获(图6c)。相比之下,20%Bi2O2S-BiOBr的衰减曲线需采用三指数模型进行拟合,表明其电子猝灭过程更加复杂。其中τ1 (0.34 ps)和τ2 (18.13 ps)与BiOBr的对应寿命相近,说明二者存在相似的电子俘获机制(图6d)。值得注意的是,20%Bi2O2S-BiOBr中出现了新的中间寿命组分τ3 (2.30 ps),这一新路径可归因于BiOBr导带电子向Bi2O2S价带的超快迁移。该超快电子转移过程的出现,直接证实了复合材料中S型电荷转移机制的存在。
图6. BiOBr(a)和20%Bi2O2S-BiOBr(b)在500 nm下的动力学,BiOBr(c)和20%Bi2O2S-BiOBr(d)中载流子弛豫步骤的动力学过程