Appl. Catal. B重磅突破!武汉工程大学邹菁/王海涛团队:构建MXenes电荷桥可促进S型异质结中载流子的快速传输
Engineering MXenes charge bridge enables fast carrier transport in S-scheme heterojunctions for enhanced photocatalytic H2 production
构建MXenes电荷桥可促进S型异质结中载流子的快速传输,进而提升光催化制氢性能https://doi.org/10.1016/j.apcatb.2025.126268阶梯型(S型)异质结光催化剂在实现电荷同步分离与高氧化还原活性方面展现出极具潜力的结构优势,然而其效率仍受限于电荷转移迟缓及复合损失等根本性瓶颈。本研究通过在g-C₃N₄/ZnIn₂S₄(CN/ZIS)S型异质结中引入V₂C MXene电荷桥,成功突破了这一长期存在的技术难题——该电荷桥作为“电子高速通道”,可显著加速界面电荷传输,同时维持高氧化还原电位。通过原位电子顺磁共振(in-situ EPR)、飞秒瞬态吸收光谱(fs-TA)与密度泛函理论(DFT)模拟的联合表征手段,我们揭示了MXene介导的实时电子转移路径,捕捉到了先前研究中鲜有观测的动态过程。所构建的CN/V₂C/ZIS异质结展现出卓越的光催化制氢性能:氢气析出速率达21.92 mmol g⁻¹ h⁻¹,365 nm波长下的表观量子效率为19.43%,超越了大多数已报道的同类体系。本研究确立了MXene作为S型异质结多功能电子调控器的关键角色,为下一代光催化剂的精准界面工程提供了普适性策略。光催化分解水是实现太阳能直接转化为氢能的有前景途径,为应对能源危机、推动可持续发展提供了可行方案。该技术的性能从根本上取决于高效半导体光催化剂的设计。理想的光催化剂应具备宽光谱光吸收能力、快速的光生电荷载流子分离与传输能力,以及高效的表面氧化还原反应活性。然而,单一组分光催化剂常受限于自身固有缺陷,如电荷快速复合、光谱响应范围窄以及氧化还原能力不足等。
为克服这些挑战,构建异质结已成为整合互补半导体、增强电荷分离的关键策略。传统Ⅱ型异质结虽能促进电荷的空间分离,但会以降低氧化还原电位为代价,因为载流子会迁移至氧化还原能力较弱的能带。这种固有矛盾促使人们探索替代性电荷分离机制。2019年,余等提出了S型异质结概念,该结构利用还原型光催化剂(RP)与氧化型光催化剂(OP)界面处的内建电场(IEF),引导RP中低活性电子与OP中低活性空穴复合。这种构型在各自组分中保留了高氧化还原活性的电子和空穴,实现了有效电荷分离且未牺牲氧化还原电位。然而,在典型S型体系中,RP与OP的直接物理接触常导致界面缺陷、能带错配及接触不充分,进而引发电荷转移迟缓、复合效率低下等问题。因此,在RP与OP之间引入电子介导层或桥梁,对重构和优化界面电荷转移路径至关重要。
异质结界面作为电荷分离与转移的核心枢纽,对复合效率具有决定性影响。近期研究强调了通过晶格匹配、化学键合及结构优化等策略实现精准界面工程的重要性。引入第三组分作为电子介导层或缓冲层,可优化界面结构并建立定向电子转移通道。例如,在MoS₂/Co₃O₄ S型异质结中集成还原氧化石墨烯作为电子桥梁,已被证实可改善电荷传输。尽管取得这些进展,此类体系仍常面临界面电荷转移动力学不理想的问题。
过渡金属碳化物/氮化物(MXenes)凭借其金属导电性和丰富的表面官能团,已成为界面调控的变革性平台。MXenes作为高效电子介导层,可作为电子提取与传输的“高速轨道”,显著增强电荷分离。利用这些特性,研究者开始将MXenes整合至S型异质结中。例如,王等构建了TiO₂/MXene/g-C₃N₄三明治结构,证实MXene夹层可显著提升界面电荷分离效率。这些发现证实,基于MXenes的电子桥梁是实现S型异质结精准界面工程的有效途径。尽管前景广阔,该领域仍处于起步阶段,S型异质结中显著提升光催化活性的实例仍较为匮乏。构建具有精心设计界面桥梁的高效S型体系,并精确阐明其电荷转移路径,对于理解底层分离动力学至关重要。
本研究通过在g-C₃N₄(CN)与ZnIn₂S₄(ZIS)之间引入V₂C MXene作为电荷桥梁,构建了三元g-C₃N₄/V₂C/ZnIn₂S₄(CN/V₂C/ZIS)S型异质结。得益于V₂C层优异的导电性和丰富的表面功能基团,其作为“电子高速通道”,引导光生电子从ZnIn₂S₄向g-C₃N₄定向迁移,显著加速界面电荷转移,同时维持强氧化还原电位(图1a)。通过原位光谱分析、密度泛函理论(DFT)模拟及飞秒瞬态吸收(fs-TA)光谱测量,我们揭示了V₂C在重构界面电荷转移路径、降低光催化析氢能垒中的作用。本研究不仅展示了氢气析出速率高达21.92 mmol·g⁻¹·h⁻¹的高效光催化体系,更深入阐释了S型异质结中电子桥梁效应的电子机制,为通过精准界面工程设计高性能异质结光催化剂提供了通用策略。

图1 载流子迁移路径示意图和形貌表征
图2 结构、组成和能带表征
图3 光解水制氢性能、光吸收能力和载流子分离转移表征
图4 催化机理研究
图5 载流子传输动力学
综上所述,本研究通过多步制备策略成功构建了具有V₂C电子桥梁的理性设计型CN/V₂C/ZIS S型异质结。V₂C的金属导电性及界面调控能力显著增强了电子提取与传输效率,同时完整保留了各半导体组分的高氧化还原活性。结构表征与光学分析证实,引入V₂C后体系的光吸收能力及表面亲水性均得到提升。密度泛函理论(DFT)模拟表明,CN的氮位点处发生有利电荷再分布,且析氢吉布斯自由能变(ΔGH*)显著优化。此外,飞秒瞬态吸收光谱(fs-TAS)与原位光谱技术揭示了V₂C介导的额外电子转移路径,该路径可加速载流子迁移并抑制复合过程。最终,CN/V₂C/ZIS异质结展现出卓越的光催化制氢性能:氢气析出速率达21.92 mmol·g⁻¹·h⁻¹,365 nm波长下的表观量子效率(AQE)为19.43%。本研究深入揭示了MXene在S型异质结中作为电子桥梁的作用机制,为通过精准界面工程设计高性能光催化体系提供了可行策略。